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题名: 电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si
作者: 郭莉莉;  那铎
发表日期: 2018-2-15
摘要: 采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法对TB9钛合金中微量Si的测定进行了研究。总结了基体对较灵敏Si的8条分析线的光谱干扰,发现从Si 185.067nm到Si 288.158nm均有不同基体元素的干扰,对微量Si的测定影响很大。经研究对比,选用背景相对低且信噪比高的Si 288.158nm线,以试剂加定量V为空白来校正基体V的光谱叠加干扰,标准加入法测定。方法检出限0.04μg/mL,标准加入校准曲线的线性相关系数0.999 9。样品加标回收率为100%~105%,相对标准偏差(n=8)小于2.0%。方法简便可靠,可获得满意的分析结果。
刊名: 中国无机分析化学
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郭莉莉,那铎. 电感耦合等离子体原子发射光谱(icp-aes)法测定tb9钛合金中微量si[J]. 中国无机分析化学,2018(01):50-52.
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