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温度对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响
王贺权; 沈辉; 巴德纯; 汪保卫; 闻立时
2005
发表期刊材料科学与工程学报
ISSN1673-2812
卷号23.0期号:003页码:341-344
摘要应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的条件下,通过控制温度改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量,当温度增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷向长波方向移动;温度对消光系数k影响不大;当温度低于180℃薄膜的折射率变化不大,当温度达到240℃左右时薄膜的折射率明显降低。通过XRD和SEM表征发现,随着温度的增加TiO2的晶体结构由混晶变为单一的锐钛矿相,薄膜表面的颗粒由多变少,表面形貌由粗糙多孔变得细腻平滑。
关键词二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 温度 反射率
收录类别CSCD
语种中文
CSCD记录号CSCD:1960373
引用统计
被引频次:3[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/87733
专题中国科学院金属研究所
作者单位中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王贺权,沈辉,巴德纯,等. 温度对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响[J]. 材料科学与工程学报,2005,23.0(003):341-344.
APA 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,&闻立时.(2005).温度对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响.材料科学与工程学报,23.0(003),341-344.
MLA 王贺权,et al."温度对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响".材料科学与工程学报 23.0.003(2005):341-344.
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