| Ti3SiC2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能 |
| 刘光明; 李美栓; 张亚明; 周延春
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| 2002
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发表期刊 | 中国有色金属学报
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ISSN | 1004-0609
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卷号 | 12.0期号:004页码:629-633 |
摘要 | 采用固体粉末包埋法在Ti3SiC2陶瓷上渗硅,研究了渗硅涂层的抗高温氧化性能,用XRD及SEM/EDS分析了渗硅涂层及其氧化后产物的成分,结构和形貌等。结果表明:渗硅层主要由TiSi2和SiC组成,在空气中氧化时形成了SiO2和TiO2的混合氧化物膜,渗硅样品在1100℃和1200℃下的恒温氧化速度比Ti3SiC2降低了2-3个数量级,1100℃下抗循环氧化性能也优于Ti3SiC2,但由于渗硅层中存在裂纹,循环过程中当裂纹贯穿整个渗硅层时,涂层的氧化速度开始增加,其保护作用逐步退化。在1100℃下空气中循环氧化时,经400次循环后涂层已基本失效。 |
关键词 | 钛碳化硅
渗硅
高温氧化
涂层
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收录类别 | CSCD
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语种 | 中文
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CSCD记录号 | CSCD:1132195
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引用统计 |
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/89075
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专题 | 中国科学院金属研究所
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作者单位 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
刘光明,李美栓,张亚明,等. Ti3SiC2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能[J]. 中国有色金属学报,2002,12.0(004):629-633.
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APA |
刘光明,李美栓,张亚明,&周延春.(2002).Ti3SiC2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能.中国有色金属学报,12.0(004),629-633.
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MLA |
刘光明,et al."Ti3SiC2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能".中国有色金属学报 12.0.004(2002):629-633.
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