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Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors 期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:  Xiuxin Xia;  Xiaoxi Li;  Hanwen Wang
收藏  |  浏览/下载：156/0  |  提交时间：2021/02/02
metal-insulator  transition  gate  tunable  GaTe  field  effect  transistors  
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors 期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:  Xiuxin Xia;  Xiaoxi Li;  Hanwen Wang
收藏  |  浏览/下载：162/0  |  提交时间：2021/02/02
metal-insulator  transition  gate  tunable  GaTe  field  effect  transistors