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氢气原位弱刻蚀生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2013-04-03, 公开日期: 2013-04-03
发明人:  侯鹏翔, 李文山, 刘畅 and 成会明
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