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一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  刘畅, 李世胜, 侯鹏翔 and 成会明
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氧化铁颗粒选择性填充在纳米碳管中空管腔内的方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2010-06-23, 公开日期: 2010-06-23
发明人:  侯鹏翔, 喻万景, 李世胜, 刘畅 and 成会明
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