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Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 期刊论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Zeng, YP;  Sun, NF;  Sun, TN
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Deep level defects in high temperature annealed InP 期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES E-ENGINEERING & MATERIALS SCIENCE, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 320-326
作者:  Dong, ZY;  Zhao, YM;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Lin, LY
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InP  defects  annealing ambience  
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
作者:  Dong, ZY;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Sun, WR;  Jiao, JH;  Lin, LY
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annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide  
磁控钨极电弧炉 成果
1987
完成人/完成单位:  吴昌衡;  段明理;  刘宝昌;  金希梅
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钨极电弧炉  熔炼炉  控制  磁性  改造  熔炼设备  电弧炉