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Stoichiometric Defects in Silicon Carbide 期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2010, 卷号: 114, 期号: 51, 页码: 22691-22696
作者:  T. Liao;  O. N. Bedoya-Martinez;  G. Roma
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First-principles study of neutral silicon interstitials in 3C-and 4H-SiC 期刊论文
Philosophical Magazine, Philosophical Magazine, 2009, 2009, 卷号: 89, 89, 期号: 26, 页码: 2271-2284, 2271-2284
作者:  T. Liao;  G. Roma;  J. Y. Wang
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