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Carrier Trapping in Wrinkled 2D Monolayer MoS2 for Ultrathin Memory 期刊论文
ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 6309-6316
作者:  Zhang, Rongjie;  Lai, Yongjue;  Chen, Wenjun;  Teng, Changjiu;  Sun, Yujie;  Yang, Liusi;  Wang, Jingyun;  Liu, Bilu;  Cheng, Hui-Ming
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   2D materials  monolayer  MoS 2  wrinkles  memory  carrier trapping  conductive AFM  
Doping Concentration Modulation in Vanadium-Doped Monolayer Molybdenum Disulfide for Synaptic Transistors 期刊论文
ACS NANO, 2021, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 7340-7347
作者:  Zou, Jingyun;  Cai, Zhengyang;  Lai, Yongjue;  Tan, Junyang;  Zhang, Rongjie;  Feng, Simin;  Wang, Gang;  Lin, Junhao;  Liu, Bilu;  Cheng, Hui-Ming
收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2021/10/15
2D materials  molybdenum disulfide  MoS2  vanadium  substitutional doping  synaptic transistor  
Dissolution-precipitation growth of uniform and clean two dimensional transition metal dichalcogenides 期刊论文
NATIONAL SCIENCE REVIEW, 2021, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 9
作者:  Cai, Zhengyang;  Lai, Yongjue;  Zhao, Shilong;  Zhang, Rongjie;  Tan, Junyang;  Feng, Simin;  Zou, Jingyun;  Tang, Lei;  Lin, Junhao;  Liu, Bilu;  Cheng, Hui-Ming
收藏  |  浏览/下载：136/0  |  提交时间：2021/10/15
dissolution-precipitation growth  two dimensional materials  transition metal dichalcogenides  uniform  clean