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Scanning tunneling microscopic investigation on morphology of magnetic Weyl semimetal YbMnBi2 期刊论文
中国物理B:英文版, 2019, 卷号: 28.0, 期号: 007, 页码: 87-90
作者:  Zhu Z(朱朕);  Yan D(严冬);  Nie XA(聂晓昂);  Xu HK(徐豪科);  Yang X(杨旭);  Guan DD(管丹丹);  Wang SY(王世勇);  Li YY(李耀义);  Liu CH(刘灿华);  Liu JW(刘军伟);  Luo HX(罗惠霞);  Zheng H(郑浩);  Jia JF(贾金锋)
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Weyl  semimetal  topological  insulator  scanning  tunneling  microscopy  
Scanning tunneling microscopic investigation on morphology of magnetic Weyl semimetal YbMnBi2 期刊论文
中国物理B:英文版, 2019, 卷号: 28.0, 期号: 007, 页码: 87-90
作者:  Zhu Z(朱朕);  Yan D(严冬);  Nie XA(聂晓昂);  Xu HK(徐豪科);  Yang X(杨旭);  Guan DD(管丹丹);  Wang SY(王世勇);  Li YY(李耀义);  Liu CH(刘灿华);  Liu JW(刘军伟);  Luo HX(罗惠霞);  Zheng H(郑浩);  Jia JF(贾金锋)
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Weyl  semimetal  topological  insulator  scanning  tunneling  microscopy  
一种碳纳米管包覆聚合物微球的方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 201510845618.2, 申请日期: 2018-11-06,
发明人:  杜金红;  张鼎冬;  刘海超;  任文才;  成会明;  胡韬;  李泳锐
收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2021/02/02
Experimental and DFT characterization of interphase boundaries in titanium and the implications for omega-assisted alpha phase precipitation 期刊论文
ACTA MATERIALIA, 2018, 卷号: 151, 页码: 406-415
作者:  Li, DD;  Wan, WF;  Zhu, LQ;  Jiang, Y;  Shao, SQ;  Yang, GJ;  Liu, HQ;  Yi, DQ;  Cao, S;  Hu, QM;  Liu, HQ (reprint author), Cent S Univ, Sch Mat Sci & Engn, Key Lab Nonferrous Mat MOE, Changsha 410083, Hunan, Peoples R China.
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Beta-ti Alloys  Transformations  Nucleation  Mechanism  Energy  
一种在彩色滤光片上制备透明导电薄膜的方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 201410698485.6, 申请日期: 2017-02-22,
发明人:  杜金红;  张鼎冬;  任文才;  成会明;  胡韬;  张霞;  陈雅惠;  李泳锐;  罗长诚;  李耘;  付东
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聚吡咯包覆二氧化钛纳米自修复微胶囊制备及其形成机制 期刊论文
表面技术, 2016, 期号: 10, 页码: 129-134
作者:  许潇雨;  李丹丹;  管勇;  冯立明
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自修复微胶囊  腐蚀防护  聚吡咯  纳米二氧化钛  乳化剂  
In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 381-385
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Liu, C
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doping  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting germanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  
Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969
作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  
Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969
作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  
Changing the size and shape of Ge island by chemical etching 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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atomic force microscopy  etching  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting germanium  semiconducting silicon