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n(+)Si/pGe Heterojunctions Fabricated by Low Temperature Ribbon Bonding With Passivating Interlayer 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 716-719
作者:  Liu, Tony Chi;  Kabuyanagi, Shoichi;  Nishimura, Tomonori;  Yajima, Takeaki;  Toriumi, Akira;  Liu, TC (reprint author), Univ Tokyo, Dept Mech Engn, Tokyo 1138656, Japan.
收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2017/08/17
Germanium  Heterojunctions  Passivation  Interlayer  Bonding