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Stoichiometric Defects in Silicon Carbide 期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2010, 卷号: 114, 期号: 51, 页码: 22691-22696
作者:  T. Liao;  O. N. Bedoya-Martinez;  G. Roma
Adobe PDF(1921Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2012/04/13
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