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The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure 期刊论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5
作者:  Bi, Y.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Peng, E. C.;  Lin, D. F.;  Feng, C.;  Jiang, L. J.
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Superconducting gap induced barrier enhancement in a BiFeO3-based heterostructure 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 25, 页码: 3
作者:  Lu, C. L.;  Wang, Y.;  You, L.;  Zhou, X.;  Peng, H. Y.;  Xing, G. Z.;  Chia, E. E. M.;  Panagopoulos, C.;  Chen, L.;  Liu, J. -M.;  Wang, J.;  Wu, T.
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Superconducting gap induced barrier enhancement in a BiFeO3-based heterostructure 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 25, 页码: 3
作者:  Lu, C. L.;  Wang, Y.;  You, L.;  Zhou, X.;  Peng, H. Y.;  Xing, G. Z.;  Chia, E. E. M.;  Panagopoulos, C.;  Chen, L.;  Liu, J. -M.;  Wang, J.;  Wu, T.
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Superconducting gap induced barrier enhancement in a BiFeO(3)-based heterostructure 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 25
作者:  C. L. Lu;  Y. Wang;  L. You;  X. Zhou;  H. Y. Peng;  G. Z. Xing;  E. E. M. Chia;  C. Panagopoulos;  L. Chen;  J. M. Liu;  J. Wang;  T. Wu
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Thin-films  Nanoscale Control  Multiferroics