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Fabrication of silicon-vacancy color centers in diamond films: tetramethylsilane as a new dopant source 期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2018, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 1158-1167
作者:  Yang, B;  Li, JH;  Guo, L;  Huang, N;  Liu, LS;  Zhai, ZF;  Long, WJ;  Jiang, X;  Jiang, X (reprint author), Chinese Acad Sci, IMR, Shenyang Natl Lab Mat Sci, 72 Wenhua Rd, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.;  Jiang, X (reprint author), Univ Siegen, Inst Mat Engn, Paul Bonatz Str 9-11, D-57076 Siegen, Germany.
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Chemical-vapor-deposition  Defect Centers  Photoluminescence  Nanodiamonds  Substrate  Spectra  Spin  Cvd