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Understanding Interlayer Coupling in TMD-hBN Heterostructure by Raman Spectroscopy 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 10, 页码: 4059-4067
作者:  Ding, Li;  Ukhtary, Muhammad Shoufie;  Chubarov, Mikhail;  Choudhury, Tanushree H.;  Zhang, Fu;  Yang, Rui;  Zhang, Ao;  Fan, Jonathan A.;  Terrones, Mauricio;  Redwing, Joan M.;  Yang, Teng;  Li, Mingda;  Saito, Riichiro;  Huang, Shengxi
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2-D material  interference effect  low-frequency (LF) vibration  Raman enhancement