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PECVD硅烷分解法制备硅层基本规律的研究 学位论文
, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2009
作者:  程华
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微晶硅薄膜  Pecvd  Ar放电  沉积速率  组织结构  结晶状态  薄膜稳定性  电学特性  光学特性  
In2O3：Sn（ITO）薄膜的光学特性研究 期刊论文
金属学报, 1999, 卷号: 35.0, 期号: 009, 页码: 934-938
作者:  陈猛;  白雪冬;  裴志亮;  孙超;  宫骏;  黄荣芳;  闻立时
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薄膜  红外反射率  ITO  光学特性