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准一维ZnS和BN纳米半导体材料的控制合成、生长机理与物性研究 学位论文
, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2008
作者:  陈志刚
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准一维  纳米半导体材料  Zns  Bn  场发射  阴极射线发光  
一种准一维氮化硼纳米结构的制备方法 成果
2008
完成人/完成单位:  中国科学院金属研究所
收藏  |  浏览/下载:59/0  |  提交时间:2013/07/24
纳米结构  氮化硼  准一维