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激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径 期刊论文
物理, 1989, 期号: 3, 页码: 158-160
作者:  葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依
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高氧化物:4800  超导体材料:4470  工艺途径:3876  激光晶体生长:3747  激光加热:3374  高临界电流密度:3077  单晶纤维:1897  金属研究所:1104  定向结晶:1076  Ybco:1029