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Initial Oxidation of γ-TiAl（111） Surface： Density-functional Theory Study 期刊论文
材料科学技术学报：英文版, 2009, 卷号: 000, 期号: 004, 页码: 569-576
作者:  Hong Li;  Shaoqing Wang;  Hengqiang Ye
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密度泛函理论  氧化过程  TiAl合金  表面  结构松弛  金属氧化物  氧吸附  电子性质  
氮化镓半导体中扩展缺陷的电子性质研究 成果
2004
完成人/完成单位:  王绍青;  程大勇;  张林;  卞寿亮
收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2013/07/24
氮化镓半导体  缺陷  电子性质