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PECVD硅烷分解法制备硅层基本规律的研究 学位论文
, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2009
作者:  程华
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微晶硅薄膜  Pecvd  Ar放电  沉积速率  组织结构  结晶状态  薄膜稳定性  电学特性  光学特性  
结晶状态对铜内耗频率谱的影响 会议论文
金属学报第39卷11期, 合肥, 2003-10-11
作者:  张进修;  龚康;  王晓伟;  朱震刚
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内耗  频率谱  多晶铜  单晶铜  纳米晶铜  共振吸收  结晶状态