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WOS被引频次降序
Er2O3/Si薄膜界面层研究
会议论文
2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会论文集, 杭州, 2010-10-08
作者:
汪雪
;
朱银莲
;
马秀良
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提交时间:2013/08/21
半导体器件
稀土氧化物
硅衬底
AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
会议论文
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集, 广州, 2008-11-30
作者:
闫鹏飞
;
隋曼龄
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浏览/下载:96/0
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提交时间:2013/08/21
氮化镓异质结
化学气相沉积法
蓝宝石衬底
紫外光发光二极管
位错滑移
带状缺陷
发光性能
透明导电薄膜在不同衬底上的性能对比研究
期刊论文
材料保护, 2005, 期号: 7, 页码: 5-7+69
作者:
陆峰,徐成海,闻立时,曹洪涛,裴志亮,孙超
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2012/04/12
Zao薄膜
衬底
直流磁控溅射
性能
Xrd衍射分析
电阻率
透射率
陶瓷基材上金刚石薄膜的微观结构与界面研究
期刊论文
人工晶体学报, 1994, 期号: 4, 页码: 274-278
作者:
陈岩,戴吉岩,苏革,黄荣芳,闻立时,师昌绪
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提交时间:2012/04/12
金刚石膜
成核
衬底
缺陷
界面
显微结构
化学气相沉积
Si(100)衬底上制备液氮温区超导薄膜
期刊论文
金属学报, 1989, 期号: 3, 页码: 152-154
作者:
胡倾宇
;
赵航炜
;
闻立时
;
王永忠
;
乔桂文
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提交时间:2012/04/12
超导
薄膜
Si衬底
Ga在Ni(111)表面上形成的超结构
期刊论文
物理学报, 1985, 期号: 7, 页码: 964-967
作者:
屠礼勋,孙玉珍
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浏览/下载:122/0
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提交时间:2012/04/12
超结构:8438
蒸镀:3290
Leed:2453
覆盖度:2238
热蒸发源:1628
低能电子衍射:1158
Ni衬底:1074
活动挡板:848
观察到:743
蒸发物:714