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HfO2/Si(001)界面层的TEM研究 会议论文
电子显微学报, 沈阳, 2006-08-26
作者:  卓木金;  马秀良
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栅氧化层  氧化硅  高k介质材料  隧穿效应  栅介质层  微电子技术