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Structural and microstructural analyses of crystalline Er(2)O(3) high-k films grown on Si (001) by laser molecular beam epitaxy 期刊论文
Acta Materialia, 2011, 卷号: 59, 期号: 4, 页码: 1644-1650
作者:  X. Wang;  Y. L. Zhu;  M. He;  H. B. Lu;  X. L. Ma
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Thin Films  High-resolution Electron Microscopy  Energy-filtered  Transmission Microscopy  Interface  Dielectrics  Thin-films  Electrical-properties  Oxide-films  Silicon  Si(001)  Dielectrics  Interface  
First-principles calculations of structure and high pressure phase transition in gallium nitride 期刊论文
Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 3772-3776
作者:  L. N. Tan;  C. E. Hu;  B. R. Yu;  X. R. Chen
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Transition Phase  Generalized Gradient Approximation  Gan  Generalized Gradient Approximation  Density-functional Calculations  Iii-v Nitrides  Thermodynamic Properties  Elastic-constants  Epitaxial-growth  001 Silicon  Gan  Inn  Simulation  
Atomic and electronic structures of rubidium adsorption on Si(001)(2 x 1) surface: Comparison with Cs/Si(001) surface 期刊论文
Chemical Physics, 2006, 卷号: 323, 期号: 2-3, 页码: 383-390
作者:  H. Y. Xiao;  X. T. Zu;  Y. F. Zhang;  F. Gao
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First-principles Calculations  Rubidium  Adsorption  Silicon  Adsorbed Si(100) Surfaces  Angle-resolved Photoemission  Potassium  Double-layer  X-ray-diffraction  Photoelectron-spectroscopy  2x1-k  Surface  Cs  Si(001)-(2x1)  Overlayer  Cesium