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Stacking stability of MoS2 bilayer: An an initio study 期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 卷号: 23, 期号: 10
作者:  P. Tao;  H. H. Guo;  T. Yang;  Z. D. Zhang
收藏  |  浏览/下载：162/0  |  提交时间：2015/01/14
Mos2  Stacking Order  Climbing-image Nudge-elastic Band  Isobaric  Sliding  Field-effect Transistors  Metal Dichalcogenides  Electronic-structure  Band-gap  Monolayer