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Tunable Band Gaps and p-Type Transport Properties of Boron-Doped Graphenes by Controllable Ion Doping Using Reactive Microwave Plasma 期刊论文
Acs Nano, 2012, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 1970-1978
作者:  Y. B. Tang;  L. C. Yin;  Y. Yang;  X. H. Bo;  Y. L. Cao;  H. E. Wang;  W. J. Zhang;  I. Bello;  S. T. Lee;  H. M. Cheng;  C. S. Lee
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Graphene  Controllable Doping  Tunable Band Gaps  P-type Transport  Properties  Boron-doped  Microwave Plasma  Walled Carbon Nanotubes  Ray Photoelectron-spectroscopy  Field-effect  Transistors  High-quality  Electronic-properties  Epitaxial Graphene  Films  Transparent  Deposition  Oxide  
氮掺杂碳纳米管及其垂直阵列的可控制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院金属研究所, 2012
作者:  宋曼
收藏  |  浏览/下载：148/0  |  提交时间：2013/04/12
碳纳米管  氮掺杂  异质结构阵列  化学气相沉积法  可控制备  Carbon Nanotubes  Nitrogen Doping  Intramolecular Junction Array  Chemicalvapor Deposition  Controllable Synthesis