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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
First-principles calculation of crystalline materials genome: a preliminary study
期刊论文
Chinese Science Bulletin, 2014, 卷号: 59, 期号: 15, 页码: 1624-1634
作者:
S. Q. Wang
;
H. Q. Ye
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提交时间:2014/07/03
Materials Genome
First-principles Calculation
Crystalline Material
Physical Property
Density-functional Theory
Density-functional Theory
Iii-v Compounds
Lonsdaleite Phases
Elastic
Properties
Lattice-dynamics
Semiconductors
Pressure
Principles
Stability
Solids
Optical spectrum and EPR parameters for vanadium (V(3+)) in cadmium telluride
期刊论文
Philosophical Magazine Letters, 2010, 卷号: 90, 期号: 7, 页码: 533-538
作者:
W. L. Feng
Adobe PDF(116Kb)
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浏览/下载:104/0
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提交时间:2012/04/13
Optical Spectra
Epr
Crystal-field Theory
Ligand-field Theory
Cdte
v(3+)
Electron-paramagnetic-resonance
Atomic Screening Constants
Iii-v
Semiconductors
Doped Cdte
Hyperfine Interaction
Scf Functions
Crystals
Ions
Transition
Impurities
Long wavelength emissions of periodic yard-glass shaped boron nitride nanotubes
期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 2
作者:
Z. G. Chen
;
J. Zou
;
G. Liu
;
F. Li
;
H. M. Cheng
;
T. Sekiguchi
;
M. Gu
;
X. D. Yao
;
L. Z. Wang
;
G. Q. Lu
Adobe PDF(609Kb)
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浏览/下载:157/0
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提交时间:2012/04/13
Boron Compounds
Cathodoluminescence
Defect States
Glass
Iii-v
Semiconductors
Photoluminescence
Semiconductor Nanotubes
Wide Band
Gap Semiconductors
Bxcynz Nanotubes
Bn
Structural, thermodynamic and electronic properties of zinc-blende AlN from first-principles calculations
期刊论文
Chinese Physics B, 2009, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 1207-1213
作者:
W. Zhang
;
Y. Cheng
;
J. Zhu
;
X. R. Chen
Adobe PDF(194Kb)
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2012/04/13
Local Density Approximation (Lda)
Thermodynamic Properties
Band
Structure
Aln
Iii-v Nitrides
Elastic-constants
Molecular-dynamics
Ab-initio
Gan
Phase
Pressure
Inn
Bn
Semiconductors
Structures and phase transition of GaAs under pressure
期刊论文
Chinese Physics Letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2169-2172
作者:
C. Hong-Ling
;
C. Xiang-Rong
;
J. Guang-Fu
;
W. Dong-Qing
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2012/04/13
Iii-v
Electronic-structure
Gallium-arsenide
Semiconductors
Stability
Alas
Iv
Si
First-principles studies on the pressure dependences of the stress-strain relationship and elastic stability of semiconductors
期刊论文
Journal of Physics-Condensed Matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 395-409
作者:
S. Q. Wang
;
H. Q. Ye
;
S. Yip
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提交时间:2012/04/14
Induced Phase Transitions
Iii-v Semiconductors
Homogeneous Crystals
Lattice Instability
Lonsdaleite Phases
Ideal Strength
Finite Strain
Constants
Si
Silicon
The local structure distortion of chromium-phosphorus clusters as Cr2+ impurity in InP semiconductors
期刊论文
Zeitschrift Fur Naturforschung Section a-a Journal of Physical Sciences, 2006, 卷号: 61, 期号: 7-8, 页码: 371-374
作者:
X. M. Tan
;
X. Y. Kuang
;
K. W. Zhou
;
C. Lu
;
Q. S. Zhu
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2012/04/14
Zero-field-splitting Parameters
Local Structure
Complete Energy Matrix
Iii-v Semiconductors
Jahn-teller System
Epr Parameters
Gaas
Gap
Spectra
Defect
Ions
Ab initio pseudopotential studies of the pressure dependences of structural, electronic and optical properties for GaN
期刊论文
Solid State Communications, Solid State Communications, 2006, 2006, 卷号: 138, 138, 期号: 10-11, 页码: 494-497, 494-497
作者:
G. Y. Gao
;
K. L. Yao
;
Z. L. Liu
;
Y. L. Li
;
Y. C. Li
;
Q. M. Liu
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2012/04/13
Semiconductors
Semiconductors
Phase Transition
Phase Transition
Electronic Structure
Electronic Structure
Optical
Optical
Properties
Properties
Generalized Gradient Approximation
Generalized Gradient Approximation
Iii-v Nitrides
Iii-v Nitrides
Phase-transition
Phase-transition
Gallium Nitride
Gallium Nitride
Stability
Stability
Inn
Inn
Aln
Aln
First-principles calculations for transition phase and thermodynamic properties of GaAs
期刊论文
Chinese Physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 802-806
作者:
L. Y. Lu
;
X. R. Chen
;
B. R. Yu
;
Q. Q. Gou
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2012/04/13
Transition Phase
Thermodynamic Properties
Gaas
High-pressure
Iii-v
Structural-properties
Electronic-structure
Molecular-dynamics
Gallium-arsenide
Semiconductors
Simulation
Stability
Alas