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Ab initio calculation of intrinsic diffusion coefficients for boron in silicon at finite temperatures 期刊论文
European Physical Journal B, European Physical Journal B, 2009, 2009, 卷号: 72, 72, 期号: 4, 页码: 567-573, 567-573
作者:  S. Y. Ma;  S. Q. Wang
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Interstitial Boron  Interstitial Boron  Irradiated Silicon  Irradiated Silicon  Point-defects  Point-defects  Phosphorus  Phosphorus  Si  Si  Pseudopotentials  Pseudopotentials  Dopants  Dopants