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Synthesis of silicon carbide films by combined implantation with sputtering techniques 期刊论文
Applied Surface Science, 2007, 卷号: 253, 期号: 20, 页码: 8428-8434
作者:  G. B. Li;  J. Z. Zhang;  Q. L. Meng;  W. Z. Li
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Silicon Carbide  Mevva  Ibad  Ion implantatIon  Chemical-vapor-deposition  Thin-films  Sic Films  Raman-scattering  Internal-stress  Laser-ablation  3c-sic Films  Growth  Beam  Relaxation  
The Raman spectroscopy of neutron transmutation doping isotope (74)Germanium nanocrystals embedded in SiO2 matrix 期刊论文
Solid State Communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 9, 页码: 514-518
作者:  Y. W. Hu;  T. C. Lu;  S. B. Dun;  Q. Hu;  N. K. Huang;  S. B. Zhang;  B. Tang;  J. L. Dai;  L. Resnick;  I. Shlimak;  S. Zhu;  Q. M. Wei;  L. M. Wang
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Isotope Ge Nanocrystals  Transmuted Impurities  Laser Raman Scattering  Neutron Transmutation Doping  Visible Photoluminescence  Semiinsulating Gaas  Hopping Conduction  Thin-films  Scattering  Germanium  Sio2-films  Plasmons  Phonons  Growth  
Ge nano-layer fabricated by high-fluence low-energy ion implantation 期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2006, 卷号: 250, 页码: 183-187
作者:  T. C. Lu;  S. B. Dun;  Q. Hu;  S. B. Zhang;  Z. An;  Y. M. Duan;  S. Zhu;  Q. M. Wei;  L. M. Wang
收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2012/04/14
Ge Nano-layer  Ion implantatIon  Laser Raman Scattering  Photoluminescence  Transmission Electron Microscopy  X-ray Diffraction  Sio2 Film  Nanocrystals  Photoluminescence  Sio2-films  Emission  Si1-xgex  Matrix  Growth  Silica  Blue