中文版 | English

在结果中检索

IMR OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Probing Defect-Induced Midgap States in MoS2 Through Graphene-MoS2 Heterostructures 期刊论文
ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2015, 卷号: 2, 期号: 8, 页码: -
作者:  Han, Yu;  Wu, Zefei;  Xu, Shuigang;  Chen, Xiaolong;  Wang, Lin;  Wang, Yang;  Xiong, Wei;  Han, Tianyi;  Ye, Weiguang;  Lin, Jiangxiazi;  Cai, Yuan;  Ho, Kin Ming;  He, Yuheng;  Su, Dangsheng;  Wang, Ning;  phwang@ust.hk
收藏  |  浏览/下载：160/0  |  提交时间：2016/04/21
Defects  Graphene  Heterostructure  Midgap States  Mos2  Quantum Capacitance