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WOS被引频次降序
Effect of Al content on the electrochemical properties of Mg2-xAlxNi thin film hydride electrodes
期刊论文
ELECTROCHIMICA ACTA, 2009, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 148-154
作者:
Xu, Junli
;
Li, Ying
;
Wang, Fuhui
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提交时间:2021/02/02
Thin film
Partial substitution
Faradic admittance
Hydrogen diffusivity
Electronic properties
Effect of Al content on the electrochemical properties of Mg(2-x)Al(x)Ni thin film hydride electrodes
期刊论文
Electrochimica Acta, 2009, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 148-154
作者:
J. L. Xu
;
Y. Li
;
F. H. Wang
Adobe PDF(1167Kb)
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提交时间:2012/04/13
Thin Film
Partial Substitution
Faradic Admittance
Hydrogen
Diffusivity
Electronic Properties
Hydrogen Storage Properties
Mg2ni Alloy
Impedance
Substitution
Batteries
Behavior
Model
Thermoelectric performance of half-Heusler compounds TiNiSn and TiCoSb
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 1
作者:
L. L. Wang
;
L. Miao
;
Z. Y. Wang
;
W. Wei
;
R. Xiong
;
H. J. Liu
;
J. Shi
;
X. F. Tang
Adobe PDF(861Kb)
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提交时间:2012/04/13
Lattice Thermal-conductivity
Electronic-structure
Partial
Substitution
Transport-properties
Ni
Temperature
Zrnisn
Phases
Co
1st-principles