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Structural characterization of SiGe/Si single wells grown by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy with varied disilane cracking temperature 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 194, 期号: 3-4, 页码: 426-429
作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ
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X-ray diffraction  SiGe/Si  disilane cracking  dynamic simulation