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Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ;  Li, JM;  Zeng, YP;  Lin, LY
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molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices