中文版 | English

在结果中检索

IMR OpenIR

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Photoluminescence characteristics of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiences 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2005, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 531-535
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Li, JM;  Ling, LY
收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2021/02/02
indium phosphide  annealing  photoluminescence  
Approach for defect suppression and preparation of high quality semi-insulating InP 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 275, 期号: 1-2, 页码: E381-E385
作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y.;  Li, Ch. J.
收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2021/02/02
Point defects  Liquid encapsulated Czochralski  Indium phosphide  Semi-insulating III-V materials  
Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20
作者:  Zhou, XL;  Zhao, YW;  Sun, NF;  Yang, GY;  Xu, YQ;  Sun, TN
收藏  |  浏览/下载：161/0  |  提交时间：2021/02/02
etch-pit density  phosphorus-rich  PL-mapping  indium phosphide  
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
作者:  Dong, ZY;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Sun, WR;  Jiao, JH;  Lin, LY
收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2021/02/02
annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide  
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Jiao, JH;  Li, JM;  Lin, LY
收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2021/02/02
diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524
作者:  Zhao, YW;  Sun, NF;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Sun, TN;  Lin, LY
收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2021/02/02
indium phosphide  semi-insulating  annealing  PICTS  photoluminescence  
Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Lin, LY
收藏  |  浏览/下载：119/0  |  提交时间：2021/02/02
indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  
Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Lin, LY
收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2021/02/02
indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  
EXPERIMENTAL-STUDY ON THE ER/P-INP SCHOTTKY-BARRIER 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1995, 卷号: 78, 期号: 1, 页码: 584-586
作者:  W. X. Chen;  M. H. Yuan;  K. Wu;  Y. X. Zhang;  Z. M. Wang;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2012/04/14
Electrical-properties  Indium-phosphide  Contacts  Gaas  Si