中国科学院金属研究所机构知识库(IMR OpenIR): 检索

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	Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 201, 页码: 556-559 作者: Liu, JP; Kong, MY; Liu, XF; Li, JP; Huang, DD; Li, LX; Sun, DZ 收藏 \| 浏览/下载：84/0 \| 提交时间：2021/02/02 strain relaxation Si SiGe interdiffusion morphological evolution
	High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者: Liu, JP; Huang, DD; Li, JP; Sun, DZ; Kong, MY 收藏 \| 浏览/下载：102/0 \| 提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy P doping surface morphology morphological evolution
	High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者: Liu, JP; Huang, DD; Li, JP; Sun, DZ; Kong, MY 收藏 \| 浏览/下载：64/0 \| 提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy P doping surface morphology morphological evolution
	High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者: Liu, JP; Huang, DD; Li, JP; Sun, DZ; Kong, MY 收藏 \| 浏览/下载：56/0 \| 提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy P doping surface morphology morphological evolution