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掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响 期刊论文
真空, 2009, 期号: 2, 页码: 33-37
Authors:  闫绍峰;  骆红;  廖国进;  巴德纯;  闻立时
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三氧化二铝薄膜  中频反应磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 期号: 6, 页码: 543-548
Authors:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
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三氧化二铝薄膜  中频反应磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化 会议论文
真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集, 沈阳, 2007-06-16
Authors:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
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磁控溅射  三氧化二铝  发光薄膜  正交试验  中频反应磁控溅射技术  
掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce^3+薄膜发光性能的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13.0, 期号: 006, 页码: 543-548
Authors:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
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三氧化二铝薄膜  中频反应磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce