| 直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响 | |
| Alternative Title | Growth Conditions and Reflectance of D C Magnetron Sputtered Tio2 Films |
| 王贺权; 巴德纯; 沈辉; 闻立时 | |
| 2008 | |
| Source Publication | 真空科学与技术学报
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| ISSN | 1672-7126 |
| Volume | 28.0Issue:1.0Pages:55-58 |
| Abstract | 应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜，利用n＆k仪对薄膜的反射率进行检测，结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用，并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10^-1Pa、O2流量为15sccm、靶基距为190mm、温度为60℃的条件下制备的Ti02薄膜的减反射效果最好。 |
| Other Abstract | The reflectance of the TiO2 films, grown by D C reactive magnetron sputtering on silicon substrates, was studied. The results show that TiO2 films can be good anti-reflectance materials in solar cells and that judicious choice of the film growth conditions may improve its anti-reflectance. The optimized growth conditions are as follows：total gas pressure 2 ×10^-1 Pa,oxygen flow rate, 15 sccm,substrate temperature,60℃ and substrate-target separation, 190 mm. |
| Keyword | 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 太阳电池 反射率 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3204854 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/141812 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Affiliation | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王贺权,巴德纯,沈辉,等. 直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2008,28.0(1.0):55-58. |
| APA | 王贺权,巴德纯,沈辉,&闻立时.(2008).直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响.真空科学与技术学报,28.0(1.0),55-58. |
| MLA | 王贺权,et al."直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响".真空科学与技术学报 28.0.1.0(2008):55-58. |
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