Al—Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱 | |
吴伟明; 高英俊; 邓文; 罗里熊; 许少杰; 钟夏平; 蒋晓军 | |
1997 | |
Source Publication | 中国有色金属学报
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ISSN | 1004-0609 |
Volume | 7.0Issue:004Pages:123-126 |
Abstract | 在深低温在室温同温度下,测量了不同时效状态的Al-Li-Cu-Mg-Zr合金和含Zn、Ag或Sc的合金的正电子寿命谱。分析表明;峰值时效使热空位大量回复并使基体电子密度提高。 |
Keyword | 正电子寿命谱 缺陷 铝合金 电子密度 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:412849 |
Citation statistics |
Cited Times:4[CSCD]
[CSCD Record]
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Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/144499 |
Collection | 中国科学院金属研究所 |
Affiliation | 中国科学院金属研究所 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 吴伟明,高英俊,邓文,等. Al—Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱[J]. 中国有色金属学报,1997,7.0(004):123-126. |
APA | 吴伟明.,高英俊.,邓文.,罗里熊.,许少杰.,...&蒋晓军.(1997).Al—Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱.中国有色金属学报,7.0(004),123-126. |
MLA | 吴伟明,et al."Al—Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱".中国有色金属学报 7.0.004(1997):123-126. |
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