总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响

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	总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响
	王贺权; 巴德纯; 沈辉; 汪保卫; 闻立时
	2005
发表期刊	真空科学与技术学报
ISSN	1672-7126
卷号	25.0 期号:1.0 页码:65-68
摘要	用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜，在固定电源功率、氩气流量42．6sccm、氧流量15sccm、溅射时间30min的条件下，通过控制总气压改变TiO22薄膜的光学性质。应用n＆k Analyzer 1200测量，当总气压增加时薄膜的平均反射率降低，同时反射低谷向短波方向移动，总气压对消光系数k影响不大；随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势，但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现，随着总气压的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变，薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。
关键词	TiO2薄膜光学性质直流反应磁控溅射折射率气压晶体结构硅基底短波对消反射率
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:2129936
引用统计	被引频次：2[CSCD] [CSCD记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/146282
专题	中国科学院金属研究所
作者单位	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王贺权,巴德纯,沈辉,等. 总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2005,25.0(1.0):65-68.
APA	王贺权,巴德纯,沈辉,汪保卫,&闻立时.(2005).总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响.真空科学与技术学报,25.0(1.0),65-68.
MLA	王贺权,et al."总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响".真空科学与技术学报 25.0.1.0(2005):65-68.