| 用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须 | |
| 李亚利; 梁勇; 高阳; 肖克沈; 郑丰; 王亚庆; 胡壮麒 | |
| 1995 | |
| Source Publication | 材料研究学报
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| ISSN | 1005-3093 |
| Volume | 9.0Issue:002Pages:149-152 |
| Abstract | 采用激光诱导有机硅烷气合成的纳米非晶Ｓｉ／Ｎ／Ｃ粉为原料，在１６００℃，１０１．３ｋＰａＮ２气下，在石墨感应炉中原位制备出α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，其直径为０．１－０．５μｍ，长可达几毫米，纯度较高，无过剩碳及金属杂质。 |
| Keyword | 晶须 纳米级 非晶粉 原位合成 硅 氮 碳 氮化硅 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:263525 |
| Citation statistics |
Cited Times:1[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/146576 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Affiliation | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李亚利,梁勇,高阳,等. 用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须[J]. 材料研究学报,1995,9.0(002):149-152. |
| APA | 李亚利.,梁勇.,高阳.,肖克沈.,郑丰.,...&胡壮麒.(1995).用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须.材料研究学报,9.0(002),149-152. |
| MLA | 李亚利,et al."用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须".材料研究学报 9.0.002(1995):149-152. |
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