| 用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须 |
| 李亚利; 梁勇; 高阳; 肖克沈; 郑丰; 王亚庆; 胡壮麒
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| 1995
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| ISSN | 1005-3093
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| 卷号 | 9.0期号:002页码:149-152 |
| 摘要 | 采用激光诱导有机硅烷气合成的纳米非晶Ｓｉ／Ｎ／Ｃ粉为原料，在１６００℃，１０１．３ｋＰａＮ２气下，在石墨感应炉中原位制备出α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，其直径为０．１－０．５μｍ，长可达几毫米，纯度较高，无过剩碳及金属杂质。 |
| 关键词 | 晶须
纳米级
非晶粉
原位合成
硅
氮
碳
氮化硅
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| 收录类别 | CSCD
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| 语种 | 中文
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| CSCD记录号 | CSCD:263525
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| 引用统计 |
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/146576
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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| 作者单位 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李亚利,梁勇,高阳,等. 用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须[J]. 材料研究学报,1995,9.0(002):149-152.
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| APA |
李亚利.,梁勇.,高阳.,肖克沈.,郑丰.,...&胡壮麒.(1995).用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须.材料研究学报,9.0(002),149-152.
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| MLA |
李亚利,et al."用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si3N4晶须".材料研究学报 9.0.002(1995):149-152.
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