| ArF准分子激光晶化非晶硅薄膜微结构研究 | |
| 其他题名 | Researches on the Microstructure of a-Si Film Crystallized by ArF Excimer Laser |
| 黄香平1; 崔连武2; 肖金泉2; 闻火3; 闻立时1 | |
| 2010 | |
| 发表期刊 | 世界科技研究与发展
 |
| ISSN | 1006-6055 |
| 卷号 | 000期号:004页码:417-419,426 |
| 摘要 | 利用ArF准分子激光对非晶硅薄膜的表层进行晶化后，采用拉曼光谱（Raman）、透射电镜（TEM）、场发射扫描电子显微镜（FE—SEM）等实验方法研究不同激光能量密度下晶化层硅薄膜微结构变化。实验结果表明：随激光能量密度的增大，薄膜结晶度增大，晶化层厚度加厚；晶粒尺寸则是先增大，直到激光能量密度增大到210mJ／cm^2后，晶粒尺寸开始减小并且均匀性逐渐变差。最佳的激光能量密度范围为120～180mJ／cm^2，这时薄膜表面晶化层晶粒比较均匀致密，薄膜质量较好。 |
| 其他摘要 | ArF excimer laser is used to crystallize the surface layer of a-St thin film. The microstructure variation under different laser fluences is investigated using Raman spectrum, transmission electron microscopy （TEM）, and field emission-scanning electron microscopy （FESEM）. The results indicate that the crystallinity and the thickness of the crystallized surface films increase with laser fluences. The grain size increases with laser fluences below 210 mJ/cm^2 and decreases with homogeneity deteriorating above. The best crystallized surface layer with homogeneous grain size is found to be with the laser fluence in 120 - 180 mJ/cm^2. |
| 关键词 | 准分子激光 激光能量 结晶度 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3985866 |
| 引用统计 | |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/148117 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 1.中南大学 2.中国科学院金属研究所 3.武汉华硅太阳能科技有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄香平,崔连武,肖金泉,等. ArF准分子激光晶化非晶硅薄膜微结构研究[J]. 世界科技研究与发展,2010,000(004):417-419,426. |
| APA | 黄香平,崔连武,肖金泉,闻火,&闻立时.(2010).ArF准分子激光晶化非晶硅薄膜微结构研究.世界科技研究与发展,000(004),417-419,426. |
| MLA | 黄香平,et al."ArF准分子激光晶化非晶硅薄膜微结构研究".世界科技研究与发展 000.004(2010):417-419,426. |
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