光激发发荧光谱术分析Co-Cr-Al（Y）纳米涂层的氧化II.Al_2O_3膜应力测量与分析

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	光激发发荧光谱术分析Co-Cr-Al（Y）纳米涂层的氧化II.Al_2O_3膜应力测量与分析
其他题名	Photo-stimulated luminescence spectroscopic analysis of the oxidation of magnetron sputtered Co-Cr-Al(Y) nanocoatings II. Residual Stresses and Mechanical Behavior of Al_2O_3 Scale
	袁晓; 王福会
	2003
发表期刊	金属学报
ISSN	0412-1961
卷号	39 期号:10 页码:1060-1064
摘要	用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al（Y）纳米涂层经1000，1100和1200 ℃氧化后Al_2O_3膜中的残余应力，获得如下结果：（1）残余应力随氧化温度升高而增大；（2）暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域；（3）两种涂层1000 ℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大，但在1100和1200 ℃下，含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高。对实验结果进行了分析。
关键词	光激发荧光谱术 Al_2O_3残余应力磁控溅射Co-Cr-Al（Y）纳米涂层
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:1267047
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/151803
专题	中国科学院金属研究所
作者单位	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	袁晓,王福会. 光激发发荧光谱术分析Co-Cr-Al（Y）纳米涂层的氧化II.Al_2O_3膜应力测量与分析[J]. 金属学报,2003,39(10):1060-1064.
APA	袁晓,&王福会.(2003).光激发发荧光谱术分析Co-Cr-Al（Y）纳米涂层的氧化II.Al_2O_3膜应力测量与分析.金属学报,39(10),1060-1064.
MLA	袁晓,et al."光激发发荧光谱术分析Co-Cr-Al（Y）纳米涂层的氧化II.Al_2O_3膜应力测量与分析".金属学报 39.10(2003):1060-1064.