| 立方碳化硅薄膜的层错结构特征 |
| 其他题名 | Structural feature of the stacking faults in cubic SiC films
|
| 闫学习; 姚婷婷; 陶昂; 杨兵; 陈春林; 马秀良; 叶恒强
|
| 2019
|
| 发表期刊 | 电子显微学报
 |
| ISSN | 1000-6281
|
| 卷号 | 38期号:5页码:459-463 |
| 摘要 | 本文利用微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)和脉冲激光沉积(PLD)等薄膜制备技术分别在硅(Si) {001}基片上生长了立方碳化硅(3C-SiC)薄膜。两种方法制备的3C-SiC薄膜均与Si基片具有相同的外延关系3C-SiC〈110〉{001}//Si〈110〉{001},但PLD法制备的3C-SiC薄膜具有较低的层错密度并与Si基片间形成了平直的界面。基于高角环形暗场像(HAADF)原子结构表征的结果,探讨了3C-SiC薄膜中内禀层错、外禀层错、微孪晶和亚稳A-A'型层错的形成机制及它们之间的结构演化关系。 |
| 关键词 | 碳化硅
层错
原子结构
球差校正透射电子显微术
|
| 收录类别 | CSCD
|
| 语种 | 中文
|
| CSCD记录号 | CSCD:6586824
|
| 引用统计 |
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/152545
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
闫学习,姚婷婷,陶昂,等. 立方碳化硅薄膜的层错结构特征[J]. 电子显微学报,2019,38(5):459-463.
|
| APA |
闫学习.,姚婷婷.,陶昂.,杨兵.,陈春林.,...&叶恒强.(2019).立方碳化硅薄膜的层错结构特征.电子显微学报,38(5),459-463.
|
| MLA |
闫学习,et al."立方碳化硅薄膜的层错结构特征".电子显微学报 38.5(2019):459-463.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论