In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

IMR OpenIR

	In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制
	陈猛; 白雪冬; 黄荣芳; 闻立时
	2000
发表期刊	半导体学报
ISSN	1674-4926
卷号	21.0 期号:004 页码:394-399
摘要	基于对锡掺杂三氧化铟（Ｓｎ－ｄｏｐｅｄＩｎ２Ｏ３，简称ＩＴＯ）和铝掺杂氧化锌（Ａｌ－ｄｏｐｅｄＺｎＯ，简称ＺＡＯ）薄膜退火前后ＸＲＤ数据的分析，研究了薄膜晶格常数畸变的原因，同时讨论了ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜的导电机制。结果表明，低温沉积ＩＴＯ薄膜的晶格膨胀来源于Ｓｎ＾２＋对Ｉｎ＾３＋的替换，导电电子则由氧缺位提供；高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于Ｓｎ＾４＋对Ｉｎ＾３＋的替换，导电电子则
关键词	导电薄膜结构导电机制氧化锌氧化铟
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:532714
引用统计	被引频次：21[CSCD] [CSCD记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/156829
专题	中国科学院金属研究所
作者单位	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈猛,白雪冬,黄荣芳,等. In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J]. 半导体学报,2000,21.0(004):394-399.
APA	陈猛,白雪冬,黄荣芳,&闻立时.(2000).In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制.半导体学报,21.0(004),394-399.
MLA	陈猛,et al."In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制".半导体学报 21.0.004(2000):394-399.