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靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响
王贺权; 沈辉; 巴德纯; 汪保卫; 闻立时
2005
Source Publication真空
ISSN1002-0322
Volume42.0Issue:1.0Pages:11-14
Abstract应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6 sccm,氧流量为15 sccm,溅射时间为30min的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数五影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现,随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。
Keyword二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 靶基距 反射率
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1895678
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/156836
Collection中国科学院金属研究所
Affiliation中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
王贺权,沈辉,巴德纯,等. 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响[J]. 真空,2005,42.0(1.0):11-14.
APA 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,&闻立时.(2005).靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响.真空,42.0(1.0),11-14.
MLA 王贺权,et al."靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响".真空 42.0.1.0(2005):11-14.
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