| C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究 | |
| 邓景屹; 刘文川; 杜海峰; 成会明; 李依依 | |
| 1999 | |
| Source Publication | 硅酸盐学报
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| ISSN | 0454-5648 |
| Volume | 27.0Issue:003Pages:357-361 |
| Abstract | 研究比较Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ梯度基复合材料和Ｃ／Ｃ复合材料的氧化行为，实验结果表明：ＳｉＣ通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度；由于减少碳与氧的接触面积，阻挡氧化凹坑的扩展，降低了材料的氧化质量损失速率。利用ＳＥＭ观察了梯度基复合材料微观氧化过程。 |
| Keyword | 碳 复合材料 氧化 碳化硅 非金属 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:617094 |
| Citation statistics |
Cited Times:5[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/157851 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Affiliation | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 邓景屹,刘文川,杜海峰,等. C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究[J]. 硅酸盐学报,1999,27.0(003):357-361. |
| APA | 邓景屹,刘文川,杜海峰,成会明,&李依依.(1999).C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究.硅酸盐学报,27.0(003),357-361. |
| MLA | 邓景屹,et al."C／C—SiC梯度基复合材料氧化行为研究".硅酸盐学报 27.0.003(1999):357-361. |
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