| 透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究 |
| 裴志亮; 谭明晖; 陈猛; 孙超; 黄荣芳; 闻立时
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| 2000
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| 发表期刊 | 金属学报
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| ISSN | 0412-1961
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| 卷号 | 36.0期号:1.0页码:72-76 |
| 摘要 | 用磁控反应溅射法制备了ＺｎＯ：Ａｌ薄膜，研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌，并对ＺｎＯ：Ａｌ薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了ＸＰＳ和ＡＥＳ分析，同时也讨论了薄膜的光学电学性能。 |
| 关键词 | ZnO：Al薄膜
电阻空间分布
光电性能
导电薄膜
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| 收录类别 | CSCD
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| 语种 | 中文
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| CSCD记录号 | CSCD:675485
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| 引用统计 |
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/158148
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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| 作者单位 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
裴志亮,谭明晖,陈猛,等. 透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究[J]. 金属学报,2000,36.0(1.0):72-76.
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| APA |
裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,&闻立时.(2000).透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究.金属学报,36.0(1.0),72-76.
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| MLA |
裴志亮,et al."透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究".金属学报 36.0.1.0(2000):72-76.
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