| 孪晶片层厚度对纳米孪晶Cu疲劳性能的影响 |
| 唐恋; 卢磊
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| 2009-07-11
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 7页码:808-814 |
| 摘要 | 通过恒应力幅控制拉-拉疲劳实验,比较了脉冲电解沉积制备的不同孪晶片层厚度纯Cu样品的疲劳寿命和疲劳耐久极限.结果表明:在应力疲劳下,样品的疲劳寿命与疲劳耐久极限均随孪晶片层厚度的减小而提高.疲劳样品的宏观表面变形形貌(SEM观察)和微观结构(TEM观察)表明:当平均孪晶片层厚度为85 nm时,材料的塑性形变由位错滑移和剪切带共同承担,进而疲劳裂纹沿剪切带萌生;而当平均孪晶片层厚度为32 nm时,材料的塑性形变由位错孪晶界交互作用主导,从而导致疲劳裂纹沿孪晶界形成. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室;
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| 关键词 | Cu
孪晶界
疲劳裂纹
疲劳耐久极限
滑移带
剪切带
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24038
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
唐恋,卢磊. 孪晶片层厚度对纳米孪晶Cu疲劳性能的影响[J]. 金属学报,2009(7):808-814.
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| APA |
唐恋,&卢磊.(2009).孪晶片层厚度对纳米孪晶Cu疲劳性能的影响.金属学报(7),808-814.
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| MLA |
唐恋,et al."孪晶片层厚度对纳米孪晶Cu疲劳性能的影响".金属学报 .7(2009):808-814.
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