| BaHfO_3：Ce纳米材料的制备及光谱特性 |
| 刘晶; 马伟民; 闻雷; 李喜坤; 沈世妃; 郭易芬
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| 2008-03-11
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 3页码:381-384 |
| 摘要 | 用湿化学共沉淀法制备了掺杂Ce的BaHfO_3纳米粉体,采用XRD,TEM及TG-DTA等手段分析了粉体合成过程的物相变化及特性;用荧光光度计分析了样品的激发光谱和发射光谱.结果表明:先驱沉淀物经1000℃煅烧2 h,合成出多边形貌、分散性良好、粒径尺寸为30—50 nm的BaHfO_3:Ce纳米粉体.掺杂Ce浓度(摩尔分数)为0.3%的BaHfO_3的谱峰相对强度最高,其激发光谱在393和445 nm处出现2个激发峰.393 nm波长激发的发射光谱主要由两个光谱带组成,其峰值分别位于485和530 nm波长处;用445 nm波长激发时,483 nm附近的峰已不明显,只在529 nm有一个较宽的发射峰.BaHfO_3:Ce的发光特性由激活Ce~(3+)的5d→~2F_(5/2)和5d→~2F_(7/2)宽带跃迁产生,其激发光谱和发射光潜均为宽带谱. |
| 部门归属 | 沈阳化工学院材料科学与工程学院,沈阳化工学院材料科学与工程学院,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳理工大学材料工程学院,沈阳大学材料科学与工程系,沈阳大学材料科学与工程系 沈阳 110142 沈阳理工大学材料工程学院,沈阳 110168,沈阳 110142,沈阳 110016,沈阳 110168,沈阳 110044,沈阳 110044
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| 关键词 | 闪烁体
Bahfo_3：ce
纳米粉体
共沉淀法
光谱特性
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24477
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘晶,马伟民,闻雷,等. BaHfO_3：Ce纳米材料的制备及光谱特性[J]. 金属学报,2008(3):381-384.
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| APA |
刘晶,马伟民,闻雷,李喜坤,沈世妃,&郭易芬.(2008).BaHfO_3：Ce纳米材料的制备及光谱特性.金属学报(3),381-384.
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| MLA |
刘晶,et al."BaHfO_3：Ce纳米材料的制备及光谱特性".金属学报 .3(2008):381-384.
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