| 反应溅射AlN的模拟 |
| 佟洪波; 巴德纯; 闻立时
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| 2007-09-15
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| 发表期刊 | 真空科学与技术学报
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| 期号 | 5页码:377-379 |
| 摘要 | 研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式间出现一个很大的跃迁。为了准确描绘实验结果,建立了一个反应溅射模型。该模型以Berg在1988年提出的模型为基础,包括了靶上二次电子发射系数的变化。利用该模型能够预测溅射行为,计算结果与实测值相符。 |
| 部门归属 | 东北大学机械工程与自动化学院,东北大学机械工程与自动化学院,中国科学院金属研究所 沈阳110004,辽宁石油化工大学机械工程学院抚顺113001,沈阳110004,沈阳110016
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| 关键词 | 模拟
氮化铝
反应溅射
二次电子发射系数
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24626
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
佟洪波,巴德纯,闻立时. 反应溅射AlN的模拟[J]. 真空科学与技术学报,2007(5):377-379.
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| APA |
佟洪波,巴德纯,&闻立时.(2007).反应溅射AlN的模拟.真空科学与技术学报(5),377-379.
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| MLA |
佟洪波,et al."反应溅射AlN的模拟".真空科学与技术学报 .5(2007):377-379.
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