| 掺杂浓度对Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响 |
| 廖国进; 巴德纯; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰
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| 2007-06-20
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发表期刊 | 功能材料
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期号 | 6页码:872-875 |
摘要 | 应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+。Al2O3∶Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域。 |
部门归属 | 东北大学机械工程与自动化学院,东北大学机械工程与自动化学院,中国科学院金属研究所表面工程部,北京航空航天大学机械工程与自动化学院,辽宁工学院机械工程与自动化学院 辽宁沈阳110004,辽宁工学院机械工程与自动化学院,辽宁锦州121001,辽宁沈阳110004,辽宁沈阳110016,北京100083,辽宁锦州121001
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关键词 | 三氧化二铝薄膜
磁控溅射
掺杂浓度
光致发光
Ce
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24689
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
廖国进,巴德纯,闻立时,等. 掺杂浓度对Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响[J]. 功能材料,2007(6):872-875.
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APA |
廖国进,巴德纯,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2007).掺杂浓度对Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响.功能材料(6),872-875.
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MLA |
廖国进,et al."掺杂浓度对Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响".功能材料 .6(2007):872-875.
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